杨昆
作品数: 24被引量:9H指数:2
  • 所属机构:电子科技大学
  • 所在地区:四川省 成都市
  • 研究方向:电子电信

相关作者

乔明
作品数:627被引量:131H指数:7
供职机构:电子科技大学
研究主题:导电类型 功率半导体器件 半导体功率器件 比导通电阻 击穿电压
王睿
作品数:55被引量:19H指数:2
供职机构:电子科技大学
研究主题:导电类型 接触区 硅电极 比导通电阻 终端结构
章文通
作品数:122被引量:14H指数:2
供职机构:电子科技大学
研究主题:导电类型 比导通电阻 硅电极 功率半导体器件 半导体
李肇基
作品数:360被引量:624H指数:13
供职机构:电子科技大学
研究主题:击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件
张波
作品数:4,983被引量:7,060H指数:42
供职机构:电子科技大学
研究主题:功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及其制造方法
本发明提供一种具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及制造方法,包括:第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第一导电类型电荷平衡耐压层,第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体...
章文通何俊卿杨昆王睿张森乔明张波李肇基
具有低比导通电阻的槽型器件及其制造方法
本发明提供一种具有低比导通电阻的槽型器件及制造方法,包括第一导电类型衬底,第一导电类型漂移区,第一导电类型源极接触区,第二导电类型阱区,第二导电类型源端接触区,源极金属接触,第一介质氧化层,第二介质氧化层,第三介质氧化层...
章文通何俊卿杨昆王睿乔明王卓张波李肇基
一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构
本发明提供一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构,属于半导体功率器件技术领域。通过在横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型轻掺杂漂移区内引入槽型介质条环,使得N型轻掺杂漂移区内的环型介质承担了主要耐压,这样就避免了...
章文通杨昆何俊卿王睿张森乔明王卓张波李肇基
具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法
本发明提供一种具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法,包括:深埋层,第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第一介质氧化层、第二...
章文通何俊卿杨昆王睿张森乔明张波李肇基
数字有机体数据库容错机制的设计
这些年来,没有中心节点的非集中式分布式系统逐渐成为人们研究的热点。这种系统它不存在单个节点的故障,具有很强的扩展能力,并且能够在广域网的范围内对外提供服务。但是由于其应用领域大多只是局限于文件共享,容错的要求比较低,因此...
杨昆
关键词:数字有机体数据库容错机制分布式技术并行处理
电荷平衡的槽型器件终端结构
本发明提供一种电荷平衡的槽型器件终端结构,包括有源区末端结构和终端区结构;有源区末端结构包括:第一导电类型衬底,第一导电类型漂移区,第一导电类型源极接触区,第二导电类型阱区,第二导电类型源端接触区,源极金属接触,第一介质...
章文通何俊卿王睿杨昆乔明王卓张波李肇基
具有纵向浮空场板的器件及其制造方法
本发明提供一种具有纵向浮空场板的器件及制造方法,第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板,且第一介质氧化层包围浮空场板多晶硅电极,所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中,形成纵向浮空场板阵列;本发明在器...
章文通何俊卿杨昆王睿张森乔明张波李肇基
基于多信息表示学习的知识图谱推理研究
随着智能信息服务的迅猛发展,知识图谱逐渐成为互联网数据知识服务的主要形式,在智能领域得到广泛的应用和发展。由于目前大部分开放知识图谱中,存在大量实体之间隐含的关系尚未发掘,不完整的问题限制了诸多下游应用的效能发挥,知识图...
杨昆
关键词:知识图谱神经网络
具有高沟道密度的分离栅VDMOS器件及制造方法
本发明提供一种具有高沟道密度的分离栅VDMOS器件及制造方法,包括:第一导电类型衬底,第一导电类型漂移区,第一导电类型源极接触区,第二导电类型阱区,第二导电类型源端接触区,源极金属接触,第一介质氧化层,第二介质氧化层,第...
章文通何俊卿杨昆王睿乔明王卓张波李肇基
横向超结器件低比导通电阻研究与设计
由于超结器件在缓解器件击穿电压VB与比导通电阻Ron.sp矛盾方面具有突出的优势,因此被大量的研究与实验。由于超结器件满足Ron?sp∝VB1.32关系打破了传统纵向器件Ron?sp∝VB2.5“硅极限”关系,被国际誉为...
杨昆
关键词:比导通电阻击穿电压