闫大为
作品数: 21被引量:15H指数:2
  • 所属机构:教育部
  • 所在地区:湖南省 湘潭市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金

相关作者

顾晓峰
作品数:147被引量:298H指数:8
供职机构:教育部
研究主题:车辆导航系统 GPS GIS ZIGBEE 静电放电
肖少庆
作品数:9被引量:15H指数:2
供职机构:江南大学
研究主题:等离子体 光电特性 P型 本科教育质量 学科
王福学
作品数:33被引量:28H指数:3
供职机构:无锡职业技术学院
研究主题:磁控溅射 GAN 氨化 光致发光 氨化SI基
吴现成
作品数:30被引量:116H指数:5
供职机构:烟台大学工程实训中心
研究主题:多孔硅 镍纳米粉 氮化碳 氮化碳薄膜 粒度
牟文杰
作品数:3被引量:2H指数:1
供职机构:教育部
研究主题:氮化镓 N-GAN GAN AL2O3 光电特性
单电子晶体管电流解析模型及数值分析被引量:1
2013年
本文首先建立单电子晶体管的电流解析模型,然后将蒙特卡罗法与主方程法结合进行数值分析,研究了栅极偏压、漏极偏压、温度与隧道结电阻等参数对器件特性的影响.结果表明:对于对称结,库仑台阶随栅极偏压增大而漂移;漏极电压增大,库仑振荡振幅增强,库仑阻塞则衰减;温度升高将导致库仑台阶和库仑振荡现象消失.对于非对称结,源漏隧道结电阻比率增大,库仑阻塞现象越明显.
苏丽娜顾晓峰秦华闫大为
关键词:单电子晶体管解析模型蒙特卡罗法
氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
2014年
制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电阻效应显著的高偏压区,经典热发射机制占主导地位;(2)AlGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用,载流子的主要输运过程为Frenkel-Poole发射机制。
焦晋平任舰闫大为顾晓峰
关键词:铝镓氮氮化镓肖特基二极管
天线状ZnO纳米结构的光致发光特性及其生长机理
2014年
利用简单的碳热蒸发法在Si(100)衬底上成功制备了天线状的氧化锌纳米材料,并利用X光衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对样品进行了结构表征和光致发光特性研究。实验结果表明:制备的单晶氧化锌材料具有纤锌矿结构,并且沿着[0001]方向择优生长;每个纳米结构有4个针足,每个针足的顶部直径约为5-50nm;室温光致发光谱中包含1个386nm附近的较强的近紫外发光峰和1个523nm附近的较弱的绿色发光峰,分别由自由激子复合和深能级发射引起。同时讨论了天线状的氧化锌纳米材料在高温低氧条件下的生长机理。
蔡小龙王福学闫大为顾晓峰
关键词:氧化锌光致发光
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究被引量:2
2013年
本文首先制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况,然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机理,并使用失效分析技术光发射显微镜(EMMI)观测器件表面的光发射,研究了漏电流的时间依赖退化机理.实验结果表明:在栅压高于某临界值后,器件漏电流随时间开始增加,同时伴有较大的噪声.将极化电场引入电流与电场的依赖关系后,器件退化前后的log(IFP/E)与√E都遵循良好的线性关系,表明漏电流均由电子Frenkel-Poole(FP)发射主导.退化后log(IFP/E)与√E曲线斜率的减小,以及利用EMMI在栅边缘直接观察到了与缺陷存在对应关系的"热点",证明了漏电流退化的机理是:高电场在AlGaN层中诱发了新的缺陷,而缺陷密度的增加导致了FP发射电流IFP的增加.
任舰闫大为顾晓峰
关键词:ALGANGAN高电子迁移率晶体管漏电流
回力标形状的ZnO纳米棒的制备和光致发光特性(英文)
2014年
在1 050°C条件下,利用碳热蒸发的方法在NiO覆盖的Si(100)衬底上制备了回力标形状的ZnO纳米棒,这是一种新的ZnO的纳米结构。通过结构分析,发现这种回力标形状的ZnO纳米棒具有纤锌矿结构。室温的光致发光图谱中有两个发光峰:380nm附近的弱近紫外发光峰和524nm及575nm附近较宽的绿光发光峰。拉曼谱以及X电子能量谱也用于研究其性质。最后讨论了缓冲层的作用及ZnO纳米棒的生长机理。
王福学蔡小龙闫大为朱兆旻顾晓峰
关键词:氧化锌纳米棒光致发光
图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器被引量:1
2017年
在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm^2;(2)在零偏压情况下,紫外/可见光抑制比为~4.2×10~3,最高的响应度为~0.147A/W,最大外量子效率为~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均开启和关闭瞬态响应常数分别为115μs和120μs,基本不随偏压变化,且具有很好的热稳定性;(4)零偏压下热噪声限制的极限探测率为~5.5×10^(13)cm·Hz^(1/2)/W。
翟阳牟文杰闫大为杨国锋蒋敏峰肖少庆顾晓峰
关键词:光电特性热噪声
利用光致发光研究多孔硅制备参数对孔隙度影响
2008年
研究多孔硅制备参数对其光致发光行为的影响,是开发新型光电器件的基础。一般考虑三个主要因素:电流密度,腐蚀时间,溶液浓度,这些因素首先对孔隙度产生直接影响.本文提出利用光致发光探测一定辐照面积下吸附形成的Si-C键数量表征局部孔隙度的设想,并实际研究了电流密度和腐蚀时间对孔隙度的影响。结果表明,一定氢氟酸溶液浓度下随着电流密度的增大,孔隙度先变大后减小,主要有两方面的原因:第一个是临界电流,第二个是横向腐蚀的停止;随着腐蚀时间的延长,孔隙度不断变大。
吴现成闫大为徐大印甄聪棉
关键词:多孔硅孔隙度临界电流
石墨电极下多孔硅的蓝光发射研究
多孔硅拥有独特的物理微结构和显著的量子限制效应,其结构和光学特点引起了众多科研者的广泛兴趣和大量研究。多孔硅光致发光的发现意味着全硅基光电集成的可能,具有极其重要工业应用潜力。本文分两个部分,前四章主要综述了多孔硅的制备...
闫大为
关键词:半导体材料光致发光
校企合作提高本科教育质量的探索——以微电子学科为例被引量:3
2014年
校企合作对提高微电子学科本科教育教学质量起着重要的作用。根据目前该专业在教学、实践和科研中存在的问题,提出从"学研结合"、"在职人员互聘"、"共建实验室"三个方面着手,培养高层次的微电子专业创新型人才。
王福学虞致国肖少庆闫大为
关键词:校企合作教学模式
图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响被引量:2
2015年
在传统蓝宝石衬底(CSS)和图形化蓝宝石衬底(PSS)上分别制备了结构相同的GaN基蓝光发射二极管(LEDs),测试并比较了这两种不同衬底器件的电流与发光特性。结果表明,与CSS-LED相比,PSS-LED在-4V处的反向漏电流降低了两个数量级,峰值波长基本不随电流增大而发生显著蓝移,半高宽、输出功率与外量子效率等发光性能也获得明显改善。PSS-LED反向漏电流的减小主要归功于外延层中位错密度的降低,发光性能的改善主要是因为PSS减少了光在LED内部的全反射,提高了光的析出率;PSS-LED的外量子效率随电流下降的行为(droop)并未明显改善,表明位错可能不是引起效率droop的主要原因。
李丽莎闫大为管婕杨国锋王福学肖少庆顾晓峰
关键词:氮化镓基发光二极管光学特性