-
朱世荣
-

-

- 所属机构:中国科学院半导体研究所
- 所在地区:北京市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划
相关作者
- 孔梅影

- 作品数:112被引量:91H指数:5
- 供职机构:中国科学院半导体研究所
- 研究主题:分子束外延 MBE GAAS GSMBE生长 MBE生长
- 孙殿照

- 作品数:77被引量:98H指数:6
- 供职机构:中国科学院半导体研究所
- 研究主题:分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
- 曾一平

- 作品数:585被引量:311H指数:8
- 供职机构:中国科学院半导体研究所
- 研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
- 李晋闽

- 作品数:885被引量:528H指数:10
- 供职机构:中国科学院半导体研究所
- 研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
- 李建平

- 作品数:79被引量:72H指数:5
- 供职机构:中国科学院半导体研究所
- 研究主题:氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底