袁菁
作品数： 14被引量：19H指数：3
  • 所属机构:四川大学物理科学与技术学院
  • 所在地区:四川省 成都市
  • 研究方向:理学
  • 发文基金:四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目

相关作者

龚敏
作品数：195被引量：356H指数：7
供职机构：四川大学
研究主题：6H-SIC SIC 低功耗 ADC 带隙基准
马瑶
作品数：19被引量：15H指数：2
供职机构：四川大学物理科学与技术学院
研究主题：电子辐照 6H-SIC SIO 拉曼光谱 重离子辐照
钟志亲
作品数：52被引量：34H指数：4
供职机构：电子科技大学
研究主题：反应离子刻蚀 氮化硅薄膜 6H-SIC 退火 MEMS
吴健
作品数：6被引量：3H指数：1
供职机构：四川大学
研究主题：6H-SIC NICKEL 欧姆接触 高温 辐照效应
刘畅
作品数：76被引量：96H指数：5
供职机构：四川大学
研究主题：磁损耗 皮革表面 皮革 天然皮革 安全裕度
作品列表
6H-SiC表面热氧化生长的SiO/_2特性研究
碳化硅/(SiC/)是一种具有较大的电子饱和漂移速度、高临界击穿电场和高热导率的宽禁带化合物半导体材料。它是目前唯一能够由直接热氧化工艺生长氧化层的化合物半导体,其器件工艺与现有的Si平面工艺兼容,因此成为制造高温、高频...
袁菁
关键词：退火工艺
浅析数字化时代高校老龄工作
2022年
党的十九届五中全会将积极应对人口老龄化确定为国家战略,认真贯彻落实党中央、国务院关于老龄工作的决策部署,帮助老龄群体适应信息技术高速发展带来的生活方式、消费习惯的改变,提升他们在数字化时代的获得感、幸福感和安全感,是新时代高校老龄工作的重点。通过政府引导、社会参与、组织关怀多管齐下,科技适老、智慧助老、激发内力多措并举,让老龄群体共享数字化时代的红利。
袁菁
关键词：数字化高校老龄工作
软件无线电中的调制解调与调制识别
本论文围绕软件无线电中七种信号调制方式及高阶滤波器的快速实现等问题，开展了对调制方式的自动识别及提高高阶滤波器运算速度的研究，提出了一种基于瞬时相位平方双谱的特征参量，以及基于滤波器系数内在比例关系提高卷积运算速度的方法...
袁菁
关键词：软件无线电调制解调调制识别信号调制方式
开放式专业实验教学模式探索和实践被引量：4
2008年
在研究型教学理论的指导下，为了进行开放式专业实验教学模式的探索，在“微电子器件参数的测试与分析”专业实验课程中进行了开放式实验教学模式的新尝试，在实验教学内容、实验过程、实验室管理、实验成绩考核评定方式上实现了全方位的开放。教学实践表明，全方位开放的专业实验教学模式，更利于因材施教，培养综合素质强、具有强烈创新意识、适应社会和行业的专业人才。
马瑶石瑞英袁菁万超李玉玲
关键词：研究型教学教学改革
6H-SiC表面热氧化SiO_2的正电子谱研究被引量：2
2010年
本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术,应用于对SiC表面热氧化生长的SiO_2特性的研究.S参数和W参数在退火前后的变化,直观的反映出SiO_2/SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变.通过与SiO_2/Si样品的对比,证实C元素及其诱生空位型缺陷的存在,很可能是影响SiO_2/SiC氧化层质量和SiC MOS击穿特性的重要因素,后退火工艺可以提高SiO_2/SiC中氧化层的致密性.实验表明,慢正电子湮灭多普勒展宽谱是研究热氧化SiO_2特性的有效手段.
袁菁龚敏王海云翁惠民
关键词：SIO2退火工艺
n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应被引量：1
2005年
研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理。从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。辐照诱生的深能级缺陷导致紫外光探测器对较长波长光的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。同时,对辐照后的 GaN 肖特基紫外光探测器进行了100℃以下的退火处理,退火后,器件的电流 电压特性有所改善。
刘畅袁菁钟志亲伍登学龚敏
关键词：肖特基势垒电子辐照退火
在专业实验教学中实现“实验就是科研”的教学理念
2007年
21世纪是信息时代，微电子技术是21世纪信息时代的关键技术之一，也是现代一个国家综合实力的衡量标准。国家把微电子技术列为21世纪初重点发展的新技术，力争通过10年的时间，使我国成为世界上的微电子强国。我国急需大量合格的微电子学专门人才，微电子技术人才的培养已成为各高校电子信息人才培养的重点。另一方面，随着微电子国际大公司的进入和设计公司／代工厂产业模式的形成，我国原来的培养模式已不能满足需要。
石瑞英龚敏伍登学马瑶袁菁万超谢茂浓
关键词：以学生为主体
65nm n沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究
2013年
重离子在SiO2中能产生永久径迹,因此它可能对MOS器件电学特性产生影响。文章用Geant4软件对Au和Sn两种离子进行蒙特卡洛模拟,重点分析高能粒子在SiO2中的能量沉积及径迹。基于模拟分析,对专门设计的65 nm n沟MOSFET器件进行Sn离子辐照实验,发现辐照后Ids和Ig明显增大,分析器件辐照前后阈值电压、跨导、沟道电流以及栅漏电流等特性参数变化的原因。
高婷婷王玲苏凯马瑶袁菁龚敏
关键词：重离子辐照径迹
SiC热氧化SiO_2层结构的光谱学表征
2007年
C原子的存在,不仅影响SiC热氧化SiO2层与SiC间的界面态,也直接影响SiO2层的结构和致密性。本文用红外光谱对SiC和Si热氧化生长SiO2层进行了研究,分析和讨论SiO2/SiC和SiO2/Si的红外反射光谱特征峰,以及不同的热氧化条件和退火过程对这些谱峰的影响,对SiC热氧化SiO2层质量的光谱学表征进行了初步探讨。
林海袁菁田晓丽杨治美马瑶龚敏
关键词：6H-SIC
n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应被引量：5
2005年
本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因。另外,在研究辐照效应对GaN肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测不到的。这说明辐照效应将导致肖特基势垒光敏器件对较长波长的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。
刘畅王鸥袁菁钟志亲龚敏
关键词：电子辐照紫外探测器肖特基二极管
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