刘新宇
作品数: 893被引量:313H指数:7
  • 所属机构:中国科学院微电子研究所
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家重点基础研究发展计划

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2011年
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陈建武王丽吴旦昱陈高鹏金智刘新宇
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为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性。根据金属-绝缘层-半导体(MIS)结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得到了肖特基接触界面态密度(N_(ss))的能级分布情况,N_(ss)约为1012eV^(-1)·cm^(-2)量级。退火温度升高,N_(ss)的能级分布靠近导带底;测试温度升高,N(ss)增加且其能级分布远离导带底。利用X射线光电子能谱(XPS)分析表征肖特基接触界面态化学组分,分析结果证实接触界面存在SiO。SiO组分随退火温度的升高而减少,在退火温度为500℃及以上时检测到Mo—C成分,说明Mo与4H-SiC发生反应。
董升旭白云杨成樾汤益丹陈宏陈宏刘新宇
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