-
郑若成
-
-
- 所属机构:中国电子科技集团第五十八研究所
- 所在地区:江苏省 无锡市
- 研究方向:电子电信
相关作者
- 洪根深
- 作品数：144被引量：76H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
- 研究主题：抗辐射 反熔丝 总剂量 SOI 单粒子
- 王印权
- 作品数：41被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
- 研究主题：反熔丝 淀积 半导体工艺 浮栅 编程
- 徐海铭
- 作品数：56被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
- 研究主题：单粒子 半导体功率器件 抗辐射 淀积 多晶
- 刘国柱
- 作品数：145被引量：64H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
- 研究主题：抗辐射 高可靠 浮栅 反熔丝 总剂量
- 郑良晨
- 作品数：13被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
- 研究主题：反熔丝 半导体工艺 淀积 光刻 极板
- 双极器件EB结击穿测试对HFE的影响被引量：2
- 2010年
- 三极管测试发现,发射极和基极EB结击穿测试会降低三极管放大倍数HFE。理论表明,HFE和注入效率γ、基区输运系数αT、复合系数δ相关。文章模拟EB结击穿应力,同时设计三种测试方法,测试应力前后三极管HFE、IC、IB等参数的变化,认为HFE降低是由于IB的增大造成。同时根据上面三个系数对应的物理区域分析认为,电流应力造成了缺陷,缺陷引起的EB结复合电流和基区传输复合电流的增大是IB增大的原因,但EB结复合电流是主要的,是HFE降低的原因。最后指出流片工艺过程中的损伤也会造成类似HFE降低的问题。
- 戴昌梅郑若成
- 关键词：电流应力HFE复合电流
- Flash开关单元编程及擦除阈值电压回归模型
- 2025年
- Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程阈值电压、Sense管擦除阈值电压、Switch管编程阈值电压、Switch管擦除阈值电压共四个回归模型。结果表明:所建立模型预测阈值电压的最大误差均不超过0.15 V,平均误差均不超过0.06 V,均具有较高的显著性,模型可信度高;Sense管和Switch管编程阈值电压与编程时间的对数、编程正压、编程负压分别呈线性关系,Sense管和Switch管擦除阈值电压与擦除时间的对数、擦除正压、擦除负压亦分别呈线性关系。回归模型可为Flash开关单元操作波形的设计和优化提供参考依据。
- 翟培卓洪根深王印权王印权谢儒彬郑若成
- 关键词：正交试验FLASH阈值电压
- 三极管器件结构研究被引量：1
- 2010年
- 文章对三极管版图结构和器件特性关系进行了研究,设计了5种常规的纵向NPN管结构,从电流能力和寄生电阻两方面讨论了不同结构的差异和优劣。认为单基极接触结构比双基极接触结构具有更优的电流能力;集电极电流和发射极面积AE并不是按照比例线性增大,尤其在大注入时,集电极电流增大明显低于AE的增大;相同面积的马蹄形结构发射区放置在周围具有更大的AE和电流能力;这些结构在寄生电阻表现上各有优劣。讨论了基极和集电极接触方式差异对三极管电流性能的影响,对电路版图设计提出建议。讨论了EB隔离方式对三极管放大倍数HFE的影响,指出多晶隔离EB结构具有更大的HFE,尤其在小注入时表现显著。通过对这些结构的分析,还提出电流能力更优的梳状结构的版图布局。
- 郑若成陈姜
- 关键词：三极管HFE
- Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀
- 2004年
- 在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后,简单介绍我们工艺开发的第一批结果。
- 郑若成刘丽艳徐政
- 关键词：多晶发射极
- 一种电容耦合ESD保护结构版图的制作工艺
- 本发明公开一种电容耦合ESD保护结构版图的制作工艺，属于半导体工艺制造领域。电容耦合ESD保护结构中耦合电容有多种形成方式，一种是形成于PAD区域，此时逻辑中的电容为PAD处多晶与金属的面积电容；另一种形成于漏栅交叠处，...
- 郑若成
- 一种基于离子注入的非挥发存储器件单元的制作方法
- 本发明公开一种基于离子注入的非挥发存储器件单元的制作方法，属于半导体存储器件领域。在二氧化硅栅介质中形成富硅纳米晶，从而实现存储管的制作方法。基于标准的CMOS工艺流程，在高压栅氧氧化后，嵌入用于存储管存储信息的富硅纳米...
- 洪根深吴建伟吴素贞郑若成
- 文献传递
- 栅氧击穿机理研究
- 2003年
- 栅氧击穿不仅和栅氧质量相关,而且受前工序的影响很大。本文介绍了影响栅氧击穿的 因素,如PBL隔离和腐蚀、电容结构。
- 徐政缪海滨郑若成
- 关键词：击穿
- 亚微米/深亚微米的栅氧清洗技术被引量：2
- 2003年
- 栅氧前清洗是栅氧工艺的重要部分,本文介绍二种适用于亚微米/深亚微米的清洗工艺: 采用稀释化学试剂和兆声波清洗的VCS清洗工艺和IMEC清洗工艺。
- 徐政郑若成何磊
- ESD保护结构设计被引量：4
- 2009年
- 静电损伤失效可能是热击穿(电流)造成的结或金属布线熔融失效,也可能是强电场(电压)诱发的介质失效,文章主要从电流热击穿方面探讨了静电触发时的ESD(Electro-Static-Discharge)保护结构的保护机理和失效机理以及工艺和版图上的应对措施。保护结构工作时的电流泄放能力决定了其保护能力,这种能力可以通过使泄放电流均匀、优化PN结特性等方面加强。电流泄放的均匀性可以在工艺版图上进行优化,结两侧浓度决定了结的耐受能力和结上的偏压,进而影响器件功耗。另外还提及了保护结构的负面影响以及工艺上的优化方案。
- 郑若成刘澄淇
- 关键词：结温版图
- ONO反熔丝器件寿命预测模型的建立被引量：1
- 2015年
- 基于1.0μm ONO(SiO2-Si3N4-SiO2)反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型。研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存在线性关系,证明了ONO反熔丝器件的TDDB寿命预测模型满足"E Model";并基于TDDB可靠性实验数据分析,拟合"E Model"模型中的各个参数,建立了寿命预测模型。同时,通过建立的寿命模型预测不同批次的ONO单元器件寿命,与实测值对比发现,寿命预测模型具有较高的准确性。
- 刘佰清洪根深郑若成刘国柱敖一程王印权
- 关键词：TDDBMODEL激活能
