杨毓俊
作品数： 35被引量：7H指数：1
  • 所属机构:电子科技大学
  • 所在地区:四川省 成都市
  • 研究方向:电子电信

相关作者

方健
作品数：290被引量：203H指数：8
供职机构：电子科技大学
研究主题：集成电路技术 电平位移 功率集成电路 SOI LDMOS
管超
作品数：30被引量：3H指数：1
供职机构：电子科技大学
研究主题：电平位移 电源电路 表面电场 高压LDMOS 回路电阻
陈吕赟
作品数：32被引量：1H指数：1
供职机构：国家知识产权局
研究主题：电平位移 表面电场 高压LDMOS 回路电阻 紧贴
吴琼乐
作品数：28被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学
研究主题：电平位移 表面电场 高压LDMOS 回路电阻 紧贴
黎俐
作品数：28被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学
研究主题：电平位移 回路电阻 电平 振荡器 乘法器
作品列表
一种集成变压器
本发明公开了一种集成变压器，具体包括初级线圈和次级线圈，所述初级线圈和次级线圈包括至少一个第一导体层导线、至少一个第二导体层导线和至少一个连接孔。本发明利用相邻的两层导体构成的空心互耦线圈形成集成变压器，所述的集成变压器...
方健杨毓俊黎俐唐莉芳王泽华柏文斌陈吕赟吴琼乐管超李曼梁晨陇
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一种电流采样电路
本发明公开了一种电流采样电路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一电阻，其特征在于，还包括第一单端输出运算放大器，第二单端输出运算放大器，第三单端输出运算放大器，第一双端输出运算放大器，第二双端输出运...
方健王泽华吴琼乐陈吕赟管超柏文斌杨毓俊黎俐
一种长延时电路
本发明公开了一种长延时电路，本发明是针对现有的RC延时电路在处理长延时时间问题过程中结构复杂的问题而提出的，具体包括：一恒流源、一可控开关、一电容元件、第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件及一触发器。本发明的延时电路...
方健杨毓俊潘福跃陶垠波吴杰
文献传递
用于AC/DC开关电源芯片的片内电源电路被引量：1
2012年
本文设计了一种应用于AC/DC开关电源芯片的片内电源电路。该电路输入电压范围110V～220V,输出电压稳定在约5.8V。本电路仅在开关电源芯片中功率开关关断的半周期,通过高压JFET抽取外部电源电能给储能电容充电,来维持输出电压的稳定,具有输入电压范围广,电路结构简单的特点。通过HSPICE仿真实验,取得预期的效果。
管超黎俐杨毓俊
关键词：AC/DC开关电源低功耗
一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法
本发明涉及一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法。高压低导通电阻LDMOS器件包括P外延、P阱区、N<Sup>+</Sup>阳极、N<Sup>+</Sup>阴极、P<Sup>+</Sup>阴极引出端、阳极多晶场板、...
方健吴琼乐陈吕赟王泽华蒋辉管超柏文斌黎莉杨毓俊
电荷泵电路
本发明公开了一种电荷泵电路，具体包括：启动单元、阈值基准单元、电流镜单元和运算放大器，具体连接关系是：所述启动单元为阈值基准单元和电流镜单元提供启动电压，所述运算放大器的输出端分别与阈值基准单元的输入端和电流镜单元的第一...
方健贾姚瑶陶垠波杨毓俊臧凯旋袁同伟李源彭宜建谷洪波
文献传递
一种电流采样电路
本实用新型公开了一种电流采样电路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一电阻，其特征在于，还包括第一单端输出运算放大器，第二单端输出运算放大器，第三单端输出运算放大器，第一双端输出运算放大器，第二双端输...
方健王泽华吴琼乐陈吕赟管超柏文斌杨毓俊黎俐
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一种三阶补偿带隙基准电压源
本发明公开了一种三阶补偿带隙基准电压源，包括：第一PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器。本发明的基准电压源，提供了一种简单的三...
方健吴杰杨毓俊陶垠波臧凯旋唐莉芳黎俐潘福跃谷洪波
文献传递
一种高压LDMOS器件
本发明涉及一种高压LDMOS器件，包括衬底、位于衬底之上的外延层，位于外延层之上靠漏区一侧且下表面与外延层的下表面重合的漂移区，位于LDMOS器件两端的漏区和源区，在衬底和外延层的交界面上跨过外延层的下表面具有交替排列的...
方健陈吕赟管超王泽华吴琼乐柏文斌杨毓俊黎俐
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷，本发明提出了一种电平位移电路，包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤...
方健柏文斌管超吴琼乐王泽华高大伟陈吕赟杨毓俊罗杰
文献传递
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