张树人
作品数: 475被引量:692H指数:13
  • 所属机构:电子科技大学
  • 所在地区:四川省 成都市
  • 研究方向:电气工程
  • 发文基金:国家重点基础研究发展计划

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钟朝位
作品数:234被引量:220H指数:7
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李恩竹
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陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法,属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述陶瓷材料由主晶相材料与掺杂相材料经球磨混合、干压成型、烧结制成,包括主晶相MgSiO<Sub>3</Sub>和掺杂相硼硅酸盐玻璃、Al<Sub...
孙成礼张树人周晓华李波
AB位同时取代的微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明提供一种AB位同时取代的微波介质陶瓷材料及其制备方法,材料化学通式为(Ba<Sub>1-a</Sub>A<Sub>a</Sub>)<Sub>6-3x</Sub>(Nd<Sub>1-b</Sub>B<Sub>b</S...
唐斌陈鹤拓郭霞钟朝位张树人
一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及其制备方法。本发明通过对钙硼硅基微晶玻璃材料的原料组分以及比例的重大幅度调整,最终以钙、铝、硼和硅为基料,辅以BaCO<Sub>3</Sub>、P<...
李恩竹王宇晨杨鸿程钟朝位张树人孙成礼
PZT/LaNiO_3/MgO多层结构制备及性能研究被引量:4
2007年
利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。
张洪伟张树人黄文刘敬松杨成韬
关键词:LANIO3射频磁控溅射
低温烧结微波介质材料Ca<Sub>5</Sub>Ni<Sub>4-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>V<Sub>6</Sub>O<Sub>24</Sub>及其制备方法
本发明属于电子陶瓷材料技术领域,提供低温烧结微波介质材料Ca<Sub>5</Sub>Ni<Sub>4‑x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>V<Sub>6</Sub>O<Sub>24</Sub>及其制备方法;所述低温...
李波冷寒生张树人
一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体涉及一种Co‑Sn‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料晶体结构为Trirutile相,烧结温度1250‑1350℃,介电常数15‑20,损耗介于4.81×10<Sup...
李恩竹杨鸿宇杨鸿程陈亚伟钟朝位张树人
一种微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法,属于电子陶瓷技术领域。本发明陶瓷材料由(MgCa)TiO<Sub>3</Sub>体系陶瓷和复合降烧剂经球磨混合、造粒、成型、排胶和烧结制成;所述(MgCa)TiO<Sub>3...
钟朝位刘稷陶煜陈松张树人
Co离子对纳米掺杂BaTiO3基抗还原介质的影响
采用纳米掺杂工艺制备BaTiO基抗还原介质,重点研究Co离子对介电性能和微观结构的掺杂效应。结果表明,在BT-Y-Mg体系中,添加Co能提高陶瓷致密度(5.9g/cm)和晶粒均匀性(0.5μm);掺杂Co能促使壳-芯结构...
李波唐斌袁颖周晓华张树人
关键词:多层陶瓷电容器钛酸钡
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一种钨青铜结构高储能密度及功率密度无铅储能介质陶瓷材料,属于电子信息功能材料与器件技术领域。该陶瓷材料为A<Sub>2‑3x</Sub>R<Sub>2x</Sub>BNb<Sub>5‑</Sub><Sub>y</Sub>...
袁颖曹磊唐斌钟朝位张树人
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一种微波器件陶瓷基板材料及其制备方法,属于电子材料技术领域。微波器件陶瓷基板材料包含主晶相和改性添加剂;主晶相化学通式为Mg<Sub>1+x</Sub>Co<Sub>y</Sub>TiO<Sub>3+x+y</Sub>,...
唐斌周晓华钟朝位张树人