-
翟亚红
-

-

- 所属机构:电子科技大学
- 所在地区:四川省 成都市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划
相关作者
- 李平

- 作品数:415被引量:1,172H指数:18
- 供职机构:电子科技大学
- 研究主题:集成电路技术 沟道 FPGA 集成电路 现场可编程门阵列
- 李威

- 作品数:124被引量:8H指数:2
- 供职机构:电子科技大学
- 研究主题:反熔丝 电路 集成电路技术 铁电 运算放大器
- 蔡道林

- 作品数:146被引量:76H指数:6
- 供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题:相变存储器 相变 相变材料 存储阵列 读出电路
- 胡滨

- 作品数:26被引量:43H指数:4
- 供职机构:电子科技大学
- 研究主题:读出电路 单片集成 铁电电容 铁电存储器 铁电
- 李珍

- 作品数:17被引量:1H指数:1
- 供职机构:电子科技大学
- 研究主题:路径规划算法 晶体管器件 超薄氧化层 场效应晶体管 采样点
- 一种过采样自举开关隔离驱动采样保持电路
- 本发明公开了一种过采样自举开关隔离驱动采样保持电路,属于模拟集成电路设计领域。对模拟信号的采样,是从模拟信号转换到数字信号的关键一步,对模拟信号采样的精确程度将直接影响后续数字编码的准确性。本发明基于栅压自举开关电路,提...
- 李大刚李泽宏李平翟亚红何弢杨绍澎
- 基于HSIM的铁电电容性能的研究
- 2012年
- 基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析,在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上,通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合,得出新的模型库参数。将这些参数导入HSIM中对铁电存储器(FRAM)进行仿真,根据仿真结果对比铁电电容的性能,并由此优化铁电电容的性能,使之更匹配于电路特性。
- 毕长红罗玉香胡滨翟亚红辜科
- 关键词:铁电电容铁电存储器
- 一种基于忆阻器实现的硬件卷积神经网络模型
- 本发明公开了一种利用忆阻器所构建的卷积神经网络模型,涉及半导体集成电路和神经网络领域。所提出的卷积神经网络系统核心为忆阻器组成的卷积层和全连接层,以及与之配套的数据编码方法。本发明利用了忆阻器可实现多电阻态的特性,将卷积...
- 翟亚红王健竹
- 一种应用于高精度ADC的斩波采样电路
- 本发明提供了一种应用于高精度ADC的斩波采样电路,属于模拟集成电路设计领域。采样电路是ADC中必不可少的部分,在高精度的ADC中采样的精度会直接影响后续的处理结果。一般的采样电路存在比较高的噪声和失调电压,为了降低噪声和...
- 李大刚李泽宏李平翟亚红何弢杨绍澎
- 一种脉冲神经网络在FPGA上的并行处理方案
- 本发明涉及一种脉冲神经网络在FPGA上进行加速的图像并行方法,在神经网络中,本来就有一些运算步骤是并行执行的,我们可以在FPGA上实现这些流程的并行运算,在无法实现并行运算的部分实现流水线运算,最大程度提升神经网络的推理...
- 翟亚红荣楠
- 电容及制备方法
- 电容及制备方法,涉及电子器件技术。本发明包括带有沟槽的衬底和设置于沟槽内的电容区,电容区包括自沟槽内表面向沟槽中心区域逐层顺次设置的扩散阻挡层、下电极、介质层和上电极,所述介质层的材料包含具有正交晶格结构的氧化铪。本发明...
- 翟亚红
- 文献传递
- 铁电存储单元单粒子效应的仿真与研究被引量:1
- 2014年
- 运用电路仿真研究了单粒子瞬态脉冲效应对铁电存储单元存储特性的影响。结合单粒子对MOS器件的影响,用电流模拟单粒子对存储单元的影响且进行仿真分析。仿真结果表明脉冲电流峰值越高,时间越长,铁电存储单元越容易翻转。经分析得出了铁电电容翻转是由瞬态电流脉冲产生的单位面积电荷量决定,最后解释了翻转的原因。
- 万义才翟亚红李平辜柯何伟
- 关键词:铁电电容铁电存储器单粒子效应电畴仿真模型
- 一种快速瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器
- 本发明提出一种快速瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器,属于电源管理领域。该无片外电容LDO包括:误差放大器模块、调整管模块、频率补偿模块、瞬态响应增强模块和反馈电路。本发明的误差放大器采用两级运放结构,第一级采用折叠式...
- 翟亚红曹飞飞王健竹廖文倩李威
- 文献传递
- 一种新型ISFET器件及其制备方法
- 本发明提供一种新型ISFET器件及其制备方法,属于电子器件技术领域。本发明中设计的新型ISFET与传统ISFET不同的是,首先构建了新的FinFET结构,即设计了位于Fin结构两侧且对称的、沟槽状的第一栅极叠层和第二栅极...
- 翟亚红李珍李威
- 文献传递
- 应用于FRAM的集成铁电电容的研究
- 2008年
- 集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表明,这种工艺条件可制备性能良好的铁电电容,符合铁电存储器对铁电电容的要求。
- 蔡道林李平张树人翟亚红阮爱武刘劲松陈彦宇欧阳帆
- 关键词:铁电电容铁电存储器